ANNEALSYS

最高到達温度1,450℃(ランプ加熱), 最大昇温速度250℃/秒での熱処理が可能!

ANNEALSYSはRTA、RTP、液体原料CVD等の熱処理装置に特色があります。 優れた加熱均一性で素早く正確な温度制御が実現でき、最大200mmサイズまでの熱処理が可能です。GaN、GaAsなどの化合物半導体の熱処理に最適で、世界中で幅広く使用されています。また、掲載モデル以外にもSiC用の熱処理装置やALD装置など、様々なラインナップの製品をご用意しております。

RTP装置 AS-Micro (R&D用)

RTP装置 AS-Micro (R&D用)

  • アプリケーション : RTA, RTO, リフロー, インプラント等
  • 基板サイズ : 最大 3インチ基板
  • 最大温度 : 1250°C
  • 昇温速度 : 250°C/s (2インチSiウエハ)
  • 温度制御 : 熱電対(オプション: パイロメーター), 高速PID
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション: 10-6 Torr)
  • ガスライン : 最大4系統
  • サンプル基板挿入 : 手動(オプション: グローブボックスインターフェース)

RTP装置 AS-One 100 & AS-One 150 (R&D, 中規模量産用)

RTP装置 AS-One 100 & AS-One 150 (R&D, 中規模量産用)

  • アプリケーション : RTA, RTO, リフロー, インプラント等
  • 基板サイズ : 最大4インチ基板(AS-One 100)又は6インチ基板(AS-One 150)
  • 最大温度 : 1450°C (装置仕様による)
  • 昇温速度 : 200°C/s (4インチSiウエハ)
         150°C/s (6インチSiウエハ)
  • 温度制御 : 熱電対(オプション: パイロメーター), 高速PID
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション: 10-6 Torr)
  • ガスライン : 最大5系統
  • サンプル基板挿入 : 手動

RTP装置 AS-Premium (R&D, 量産用)

RTP装置 AS-Premium (R&D, 量産用)

  • アプリケーション : RTA, RTO, リフロー, インプラント等
  • 基板サイズ : 最大6インチ基板
  • 最大温度 : 1300°C (装置仕様による)
  • 昇温速度 : 150°C/s (4インチSiウエハ)
  • 温度制御 : マルチゾーン制御、熱電対(オプション: パイロメーター), 高速PID
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション: 10-6 Torr)
  • ガスライン : 最大6系統
  • サンプル基板挿入 : 手動(オプション: カセット、ロードロック)

RTP装置 AS-Master (R&D, 量産用)

RTP装置 AS-Master (R&D, 量産用)

  • アプリケーション : RTA, RTO, RTCVD, リフロー, インプラント等
  • 基板サイズ : 最大8インチ基板
  • 最大温度 : 1450°C (装置仕様による)
  • 昇温速度 : 200°C/s (8インチSiウエハ)
  • 温度制御 : マルチゾーン制御、熱電対(オプション: パイロメーター), 高速PID
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション: 10-6 Torr)
  • ガスライン : 最大6系統
  • サンプル基板挿入 : 手動(オプション: カセット)

抵抗加熱アニール装置 Zenith (R&D用)

抵抗加熱アニール装置 Zenith (R&D用)

  • アプリケーション : SiC インプラント, SiC上グラフェンアニール等
  • 基板サイズ : 最大4インチ基板
  • 最大温度 : 2000°C (最大1時間)
  • 昇温速度 : 4°C/s (~1800°C), 2°C/s (~2000°C)
  • 温度制御 : 熱電対、パイロメーター、高速PID
  • 到達真空 : 10-6 Torr
  • ガスライン : 最大8 系統
  • サンプル基板挿入 : 手動

DLI-CVD装置 MC-050 (R&D用)

DLI-CVD装置 MC-050 (R&D用)

  • アプリケーション : DLI-CVD, DLI-ALD, MOCVD, RTP
  • 基板サイズ : 最大2インチ基板
  • 最大温度 : 1100°C
  • 温度制御 : 熱電対(オプション: パイロメーター), 高速PID
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション:ターボポンプ)
  • ガスライン : 最大8系統
  • 気化システム : 最大6系統 Direct Liquid Injection(DLI)
  • サンプル基板挿入 : 手動(オプション: グローブボックスインターフェース)

DLI-CVD装置 MC-100 (R&D, 量産用)

DLI-CVD装置 MC-100 (R&D, 量産用)

  • アプリケーション : DLI-CVD, DLI-ALD, 金属等
  • 基板サイズ : 最大4インチ基板
  • 最大温度 : 800°C
  • 温度制御 : 熱電対、PID
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション:ターボポンプ)
  • ガスライン : 最大8系統
  • 気化システム : 最大4系統 Direct Liquid Injection(DLI)
  • サンプル基板挿入 : 手動(オプション:ロードロック)

DLI-CVD装置 MC-200 (R&D, 量産用)

DLI-CVD装置 MC-200 (R&D, 量産用)

  • アプリケーション : DLI-CVD, DLI-ALD, 金属等
  • 基板サイズ : 最大8インチ基板
  • 最大温度 : 800°C
  • 温度制御 : 熱電対、PID
  • プラズマ : オプション:容量結合プラズマ
  • 到達真空 : 10-3 Torr (オプション:ターボポンプ)
  • ガスライン : 最大8系統
  • 気化システム : 最大4系統 Direct Liquid Injection(DLI)
  • サンプル基板挿入 : 手動(オプション:ロードロック)
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